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IXGR32N170H1中文资料

IXGR32N170H1图片

IXGR32N170H1外观图

  • 大小:522.9KB
  • 厂家:IXYS
  • 描述: IGBT, ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:26A; Collector Emitter Voltage Vces:3.5V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.7kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:ISOPLUS-247; No. of Pins:3; Current Ic Continuous a Max:38A; Fall Time tf:250ns; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; Package / Case:ISOPLUS-247; Pin Configuration:Copack (FRD); Power Dissipation Max:200W; Rise Time:250ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1700V
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:HiPerFAST™, Lightspeed 2™
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):5.2V @ 15V,17A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):26A
  • 功率 - 最大:200W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:ISOPLUS247?
  • 供应商设备封装:ISOPLUS247?
  • 包装:盒

IXGR32N170H1供应商

更新时间:2023-01-24 02:55:59
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